一、核心作用
Boost 電感:功率級、大電流、高頻(20–100kHz),電感量10–100μH。
逆變輸出電感:工頻濾波,電感量0.5–5mH,THD 可降至 < 5%。
共模電感:高阻抗、小電流,用于 EMI 抑制。
電感量:Boost 20–50μH;輸出 1–2mH。
飽和電流:≥1.2 倍額定電流(如 15A→≥18A)。
直流電阻(DCR):越小越好(≤10mΩ),降低銅損。
溫升:≤40K(環境 40℃時殼溫≤80℃)。
電感量:兼顧紋波、體積與動態響應;高頻選小 L、低頻選大 L。
電流能力:飽和電流 > 峰值電流,溫升電流 > 額定電流,留 20% 余量。
損耗控制:選低 DCR、低損耗磁芯;高頻用 Litz 線抑制趨膚效應。
熱管理:灌膠 / 導熱膠填充,降低熱阻,提升壽命。
絕緣與安全:耐高壓、防潮、符合 UL/CE,絕緣電阻≥50MΩ。
磁芯飽和:電感量驟降、紋波飆升、IGBT 過流→加大磁芯 / 增氣隙 / 換高 Bs 材料。
過熱燒毀:損耗過大 / 散熱不良→降 DCR、優化繞線、加強散熱。
EMI 超標:共模抑制不足→優化共模電感、增加屏蔽、改善接地。
高頻化:SiC/GaN 器件普及,頻率升至 100–300kHz,電感體積縮小 30%+。
集成化:LC 濾波器集成、平面磁芯、PCB 繞組,降低寄生參數。
高可靠:納米晶 / 非晶材料、灌膠工藝,適配 - 40℃~125℃寬溫。